“博鱼手机官网”长江存储推出3DNAND架构Xtacking，I/O接口速度高达3Gbps

(公众号：)消息，长江存储周一发布了有关其Xtacking架构的关键细节，该架构将用作其将要发售的3D NAND存储器芯片。该技术牵涉到用于两个晶圆建构NAND芯片：一个晶圆包括基于电荷陷阱架构的实际存储器单元，另一个晶圆使用CMOS逻辑。传统上，NAND存储器的制造商用于单一工艺技术在一个晶片上产生存储器阵列以及NAND逻辑（地址解码，页面缓冲器等）。相比之下，长江存储想用于有所不同的工艺技术在两个有所不同的晶圆上制作NAND阵列和NAND逻辑，然后将两个晶圆黏合在一起，用于一个额外的工艺步骤通过金属通孔将存储器阵列相连到逻辑。

Xtacking架构目的使NAND取得超快的I/O模块速度，同时最大化其内存阵列的密度。长江存储回应，其64层3D NAND芯片的I/O模块速度为3 Gbps，比三星近期的V-NAND慢两倍，比主流3D NAND慢三倍。从理论上谈，低I/O性能将使SSD供应商需要要用较较少的NAND地下通道制作较低容量SSD而会影响性能，从而抵销了高传输率的较低并行性。

此外，通过将掌控逻辑定位在NAND存储器阵列下方，长江存储回应Xtacking架构容许最大化其3D NAND容量，并最小化芯片的尺寸。长江存储称之为，由于存储密度的减小可以抵销额外的逻辑晶圆成本，用于两个300毫米晶圆会贞着减少生产成本。

与其他制造商一样，长江存储没公开发表用作3D NAND的光刻节点，只对外发布用于XMC的工厂生产内存和逻辑，相提并论外围逻辑晶元将用于180nm制程加工。由于两种晶圆皆使用成熟期的生产技术展开加工，因此长江存储不必须十分低的混合和给定覆盖面积精度来将它们黏合在一起并构成点对点通孔。一般来说，存储颗粒制造商偏向于将模具尺寸维持在较低的水平，以提升竞争力和盈利能力。

对于2D NAND来说，在牵涉到到一般来说的Gb/mm²指标时，充满著所有复杂性和产率，较小的芯片不会让晶圆成本集中在更好芯片上，进而在成本方面获得胜利。而随着晶圆在化学气相沉积（CVD）机器上花费更加多时间，3D NAND技术显得更为简单，因此晶圆厂加工的晶圆数量以及晶圆本身的成本仍然是至关重要的指标。尽管如此，它们对于像长江存储这样的公司来说，通过将掌控逻辑放到内存数组中，使其NAND密度最大化就早已充足最重要了。

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